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四氟化碳的密度比较高，可以填满地面空间范围，在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉，干燥，通风的库房内，严禁曝晒，远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。

由碳与氟反应，或与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，都能生成四氟化碳。储存注意事项：储存于阴凉、通风的不燃气体库房。远离火种、热源。库温不宜超过30℃。应与易（可）燃物、氧化剂分开存放，切忌混储。储区应备有泄漏应急处理设备。在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，经精馏而得成品。

高纯四氟化碳是纯度在99.999%以上的四氟化碳产品，是一种无色无味气体。高纯四氟化碳不可燃烧，在常温常压条件下化学性质稳定，在密闭容器中遇高热有危险，不溶于水，可溶于苯、等部分溶剂。常温常压下稳定，避免强氧化剂、可燃物。不燃气体，遇高热后容器内压增大，有开裂、炸危险。化学性质稳定，不燃。常温下只有液氨-试剂能发生作用。高纯四氟化碳在常温常压条件下化学性质稳定，高纯四氟化碳是一种高纯电子气体，在电子产业中需求量大。

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